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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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2009, vol.109, no.98

题名作者出版年年卷期
マイクロ波焼成によるZnS系無機EL蛍光体の発光特性の改善小林祐輔; 田口信義; 須崎昌己; 堀田昌宏; 浦岡行治20092009, vol.109, no.321
4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減岡本大; 矢野裕司; 平田憲司; 畑山智亮; 冬木隆20092009, vol.109, no.321
電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化野尻琢慎; 柳澤英樹; 明神善子; 松浦秀治; 大島武20092009, vol.109, no.321
200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究－ドープ量依存性柳澤英樹; 西野公三; 野尻琢慎; 松浦秀治; 大島武20092009, vol.109, no.321
電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について西野公三; 柳澤英樹; 野尻琢慎; 松浦秀治; 大島武20092009, vol.109, no.321
薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットによる電気化学測定分銅衡介; 飯室恵紀; 瀬津光司; 佐川祐樹; 木村睦20092009, vol.109, no.321
Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲／放出特性の評価鎌倉良成; 日昔崇; 辻博史; 谷口研二20092009, vol.109, no.321
エタノールクラスターイオンビームを用いたシリコン基板の微細加工向井寛; 龍頭啓充; 竹内光明; 高岡義寛20092009, vol.109, no.321
High-k／メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性西田征男; 永久克己; 清水昭博; 山下朋弘; 尾田秀一; 井上靖朗; 芝原健太郎20092009, vol.109, no.321
X線検出素子（Silicon Drift Detector）の簡素化－シミュレーションによる評価北野谷征吾; 三宅貴之; 谷口征大; 松浦秀治20092009, vol.109, no.321
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