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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：可靠性
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2009, vol.109, no.98

题名作者出版年年卷期
Geの材料物性－Siとの比較伊藤公平20092009, vol.109, no.87
分子動力学法によるGeO_2/Ge界面のモデリング－SiO_2/Si界面との違い渡邉孝信; 恩田知弥; 登坂亮; 山本英明20092009, vol.109, no.87
Si酸化における界面反応の第一原理計算秋山亨; 影島博之; 植松真司; 伊藤智徳20092009, vol.109, no.87
GeO_2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術渡部平司; 齊藤真里奈; 齊藤正一朗; 岡本学; 朽木克博; 細井卓治; 小野倫也; 志村考功20092009, vol.109, no.87
Ge MIS界面欠陥の電気的性質田岡紀之; 水林亘; 森田行則; 右田真司; 太田裕之; 高木信一20092009, vol.109, no.87
Ge MOSデバイスの熱安定性－Ge oxygen [GeO（g）]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO（II）]の役割鎌田善己; 高島章; 手塚勉20092009, vol.109, no.87
金属／ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性西村知紀; 長汐晃輔; 喜多浩之; 鳥海明20092009, vol.109, no.87
ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御加藤公彦; 近藤博基; 坂下満男; 財満鎭明20092009, vol.109, no.87
HfO_2/Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上今庄秀人; Hyun Lee; Dong-Hun Lee; 吉岡祐一; 金島岳; 奥山雅則20092009, vol.109, no.87
界面層にHfGeNおよびGeO_2を有するhigh-k膜／Ge構造の形成と電気的評価－Ge基板への絶縁膜形成中島寛; 平山佳奈; 楊海貴; 王冬20092009, vol.109, no.87
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